型号:BQ4014YMB-120 | 类别:存储器 | 制造商:Texas Instruments |
封装:32-DIP 模块(0.61",15.49mm) | 描述:IC NVSRAM 2MBIT 120NS 32DIP |
详细参数
类别 | 存储器 |
---|---|
描述 | IC NVSRAM 2MBIT 120NS 32DIP |
系列 | - |
制造商 | Texas Instruments |
格式_存储器 | RAM |
存储器类型 | NVSRAM(非易失 SRAM) |
存储容量 | 2M (256K x 8) |
速度 | 120ns |
接口 | 并联 |
电压_电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
工作温度 | 0°C ~ 70°C |
封装/外壳 | 32-DIP 模块(0.61",15.49mm) |
供应商器件封装 | 32-DIP 模块(18.42x52.96) |
包装 | 管件 |
供应商
深圳市宇明芯科技有限公司 | 李小姐0755-83051566 |
深圳市旺财半导体有限公司 | 李先生86-83209217 |
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- C0805C221J1GACTU
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Kemet
0805(2012 公制)
CAP CER 220PF 100V 5% NP0 0805
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CAP CER 91PF 50V 1% NP0 0603
- C0603C473K5RACTU
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0603(1608 公制)
CAP CER 0.047UF 50V 10% X7R 0603
- B78108S1185J
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- C0805C221J1GALTU
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0805(2012 公制)
CAP CER 220PF 100V 5% NP0 0805
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CHOKE RF 220UH 250MA AXIAL
- C0603C473M3RACTU
陶瓷
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0603(1608 公制)
CAP CER 0.047UF 25V 20% X7R 0603